Micro LED技術與當下流行的LCD、OLED顯示技術相比，具有更高的亮度、發(fā)光效率，更容易實現自由彎曲特性。因此，從原理上來講，Micro LED可以應用于一切顯示設備上，包括智能手機、高清電視、戶外超大屏顯示等。
Micro LED技術尚不成熟，制程比較復雜。想要得到Micro LED顯示面板，首先就要解決將Micro LED陣列放到基本上的問題。例如在制備HD級別的顯示器，其分辨率大約1920*1080，從數量上來看，RGB像素的數量大約有600萬個，必須要保證良率達到6個9級別。從像素大小來看，理想來說，像素尺寸應該在3um以下，而為了控制成本，目前多控制在10um以下。從以上不難看出，Micro LED面臨著諸多挑戰(zhàn)。
成本挑戰(zhàn)
在手機QHD硬屏方面，Micro LED顯示面板成本要比目前OLED成本高出20%左右，Micro LED和巨量轉移兩項成本大約為11美元，如果是在柔性屏方面，應該會更高，達到20美元。而對于55 inch 電視方面，Micro LED電視成本會比OLED電視成本低10%左右，其中Micro LED和巨量轉移的價格大約在165美元。如下圖所示。
Micro LED芯片的數量直接決定著顯示器的分辨率，要想降低成本，chip的尺寸就要做的足夠小。目前而言，Micro LED的單位面積成本要高于傳統(tǒng)的LED（未封裝狀態(tài)），這是因為Micro LED的制程復雜，均一性和缺陷要求更加嚴苛。手機端芯片大小要小于5um，電視端要小于10um。如下圖所示（分別為5.8inch QHD Phone和55inch 4K TV），芯片的尺寸如果可以做到足夠小，Micro LED的成本將會有大幅的下降。
對于傳統(tǒng)大尺寸電視（75inch以上），Micro LED的應用將會帶來巨幅的成本降低。芯片尺寸如果由150um以上減小到50um以下，略過芯片封裝過程，會帶來不小的成本優(yōu)化。
制程挑戰(zhàn)
Micro LED顯示對均一性和缺陷等性能的要求，根據其應用場景的不同而靈活改變。一般要求發(fā)光峰的波長位移在1-2nm，每塊顯示面不超過10個缺陷，該要求比當下OLED的標準還要嚴苛。如今的工藝制程水平，在4inch的外延晶圓上所制備的Micro LED發(fā)光峰位移高于6nm。雖然可以通過擴大晶圓尺寸（約6inch），使得發(fā)光峰位移降低到2nm以下，但是制造成本將會大幅增加。
有人提出將晶圓劃分為更小的區(qū)域，劃分依據可以是發(fā)光波長或者是其他感興趣的參數（亮度，缺陷，漏電流，正偏壓等），在這些更小的區(qū)域中篩選出性能較優(yōu)的區(qū)塊，拼成一個新的完整晶圓，再通過巨量轉移等技術轉移到顯示襯底上。
其他挑戰(zhàn)
除了以上，Micro LED面臨的挑戰(zhàn)還有很多，例如：10um以下如何保證較高的外量子效率，芯片像素缺陷的測試及修復等等......路還很長，但方向明確。
